红星资本局12月25日消息，今日，存储芯片概念走强。截至午间收盘，天奥电子（002935.SZ）涨停，恒烁股份（688416.SH）涨近15%，成都华微（688709.SH）涨超11%，长川科技（300604.SZ）、盈新发展（000620.SZ）等涨超5%。消息面上，12月24日，财联社援引外媒报道称，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。早在今年10月，有消息称三星电子与SK海力士计划在2025年Q4上调DRAM和NAND闪存价格，涨幅最高达30%，并已有客户开始洽谈2-3年期的长期供应协议，以应对可能出现的存储芯片短缺。自今年三季度末，受AI需求推动，存储行业开启了“超级周期”，美光科技、三星电子、SK海力士业绩提升。对于存储芯片接下来的走势，红星资本局此前报道，CFM闪存市场资深产业分析师戴晓瑜表示，存储市场上最大的变量来自于AI服务器需求的激增，这一轮数据中心需求爆发带来的订单，预估会持续到2026年年底。银河证券发布研报称，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬，预计DRAM价格环比增长18-23%，HBM的ASP增长23%-28%。

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